PC28F640P30BF65B vs PC28F640P30BF65B-TR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של PC28F640P30BF65B מאת Micron Technology ו PC28F640P30BF65B-TR מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
PC28F640P30BF65B - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz, 64-EasyBGA | Micron
PC28F640P30BF65B NrndMicron Technology
PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron
PC28F640P30BF65B-TR Nrndהשוואת מפרטים
| פרמטר | PC28F640P30BF65B | PC28F640P30BF65B-TR |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| סוג זיכרון | Non-Volatile FLASH - NOR (CFI) | Non-Volatile Flash (NOR) |
| גודל זיכרון | 64 Mbit | — |
| Memory Organization | 4M x 16 | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit (x16) | — |
| סוג ממשק | Parallel | — |
| Access Time | 65 ns | — |
| Burst Read Clock Frequency | 52 MHz | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 65 ns | — |
| Sector Architecture | Bottom Boot (parameter/small boot blocks at low addresses) | — |
| Supply Voltage - VCC | 1.7 V to 2.0 V | — |
| Supply Voltage - VCCQ (I/O) | [DATA_NEEDED: VCCQ range per P30 datasheet, typically 1.7V-3.6V] | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C | -40 C to +85 C |
| מארז / Case | 64-EasyBGA (10x13 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: typical 100K cycles per sector per P30 datasheet] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: per latest Alliance/Micron PCN] | — |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: per EasyBGA JEDEC J-STD-020 rating] | — |
| Density | — | 64 Mbit (4M x 16) |
| Process Technology | — | P30-65nm Axcell |
| Boot Block Location | — | Bottom |
| Architecture | — | 128 KB uniform blocks + 4 KB parameter blocks |
| VCC (Core) Range | — | 1.7 V to 2.0 V |
| VCCQ (I/O) Range | — | 1.7 V to 3.6 V |
| ממשק | — | Parallel (asynchronous + synchronous burst) |
| Synchronous Burst Frequency | — | 52 MHz |
| Asynchronous Access Time | — | 65 ns (75 ns in some datasheet revisions) |
| מארז | — | 64-ball EasyBGA (10x13 mm) |
| Block Erase Time (typ.) | — | 0.4 s |
| Word Program Time (typ.) | — | 100 us |
| Endurance (per block) | — | 100,000 cycles |
| Data Retention | — | 20 years (typical) |
| Compliance | — | RoHS |