RTAX2000D-1CQ352E vs RTAX2000D-1CQ352V השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של RTAX2000D-1CQ352E מאת Microchip Technology ו RTAX2000D-1CQ352V מאת Microchip Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip
RTAX2000D-1CQ352E ✓ פעילMicrochip Technology
RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000D-1CQ352V ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | RTAX2000D-1CQ352E | RTAX2000D-1CQ352V |
|---|---|---|
| מותג | Microchip Technology | Microchip Technology |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Equivalent System Gates | 2000000 gates | — |
| Logic Organization | 19712 CLBs | — |
| Technology | Digital CMOS FPGA, antifuse (nonvolatile) | Digital CMOS, antifuse (nonvolatile) |
| מארז | CQFP352 (352-terminal Ceramic Quad Flat Pack) | CQFP-352 (CQ352), ceramic |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +125C | — |
| Family | RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs | — |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Rated) | 200 krad | — |
| DSP Mathblocks | Up to 120 | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | Up to 540 kbits with optional EDAC protection | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Programmability | One-time programmable (antifuse) | — |
| מתח אספקה | [DATA_NEEDED: core/supply voltage] | — |
| User I/O Terminals | [DATA_NEEDED: user I/O count for CQ352] | — |
| Max System Frequency | [DATA_NEEDED: max system frequency] | — |
| Radiation Environment Target | Space-based applications | — |
| Commercial Prototype Equivalent | Axcelerator family device | — |
| Equivalent Gates | — | 2,000,000 |
| Logic Cells | — | 29,568 |
| CLBs | — | 19,712 |
| Core Supply Voltage | — | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) |
| Total Ionizing Dose | — | 200 krad (Si) |
| Configuration | — | Live at power-up, single-chip, no external configuration device |
| Speed Grade | — | -1 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Screening | — | RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test) |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |