STS4DNF60L vs STS5DNF60L השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של STS4DNF60L מאת STMicroelectronics ו STS5DNF60L מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

STMicroelectronics
STS4DNF60L STS4DNF60L - Dual N-Ch 60V 4A 0.045Ω SO-8 MOSFET | ST

STS4DNF60L - Dual N-Ch 60V 4A 0.045Ω SO-8 MOSFET | ST

STS4DNF60L ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר STS4DNF60L STS5DNF60L
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) 4 A per channel —
On-Resistance R_DS(on) (typ) 0.045 Ω at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) (max) < 0.055 Ω 45 mΩ at V_GS = 10 V, I_D = 2 A
Total Power Dissipation (P_tot) 2 W —
Gate-Source Threshold Voltage [DATA_NEEDED: V_GS(th) minimum/typical/maximum] —
Gate Drive Low threshold drive (logic-level compatible) —
מארז SO-8 (8-pin, surface mount) SO-8 (8-SOIC, surface mount)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature min/max]
Technology STripFET (strip-based, 2nd generation) STripFET II trench N-channel
Number of Channels 2 (dual N-channel on one die) —
רמת MSL 1 per JEDEC J-STD-020 [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturing Process STripFET "Single Feature Size" strip-based process —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at 25 °C — 5 A per channel
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 35 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Gate Charge Q_g — [DATA_NEEDED: Q_g total gate charge value]
Configuration — Dual independent N-channel
Power Dissipation P_D (per datasheet) — 2 W
Automotive Grade — Automotive-grade qualified
RoHS Compliance — Compliant
Avalanche Rating — 100% avalanche tested

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר