UCC21521DWR vs UCC21530Q-Q1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של UCC21521DWR מאת Texas Instruments ו UCC21530Q-Q1 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ פעיל
Texas Instruments
UCC21530Q-Q1 UCC21530Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21530Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21530Q-Q1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר UCC21521DWR UCC21530Q-Q1
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) TTL and CMOS compatible
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: temperature range]
מארז SOIC-16 (DW) SOIC-14 (DWK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Output Peak Current (Source) — 4 A
Output Peak Current (Sink) — 6 A
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — 125 V/ns (minimum)
Maximum Switching Frequency — 5 MHz
Number of Channels — 2
Configuration — Low-side, high-side, half-bridge, dual low-side
Dead Time — Programmable via DT pin resistor
פין הפעלה — Yes
Driven Device Types — IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
Supply Voltage VDDI — [DATA_NEEDED: VDDI range]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר