1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3124MU12HXUMA1 द्वारा Infineon और 1EDN6550BXTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED3124MU12HXUMA1 | 1EDN6550BXTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Single-channel isolated gate driver IC | Single-channel gate driver IC |
| Manufacturer Family | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) | — |
| Peak Output Current (source/sink) | 14 A typical | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Separate source and sink pins | — |
| Galvanic Isolation (rms) | 5.7 kV (UL 1577) | — |
| Working Voltage (continuous) | 1200 V | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 200 kV/us minimum | — |
| Propagation Delay (typ.) | 90 ns | — |
| UVLO Threshold | 10.5 V | — |
| Isolation Technology | Coreless transformer (CT) | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) | PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) |
| Creepage Distance | >8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | — |
| Target Switch Types | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Recommended Switch Class | Up to 2300 V IGBT / SiC modules | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | High-Side / Low-Side, Non-Inverting |
| आउटपुट की संख्या | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 4 A |
| Peak Sink Current | — | 8 A |
| Minimum Pulse Width | — | 29 ns |
| Input Type | — | Differential (TTL-compatible) |
| Supply Voltage Range | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| UVLO Protection | — | Yes (integrated) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +125C |
| पिन काउंट | — | 6 |