1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MU12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN6550BXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1ED3124MU12HXUMA1 | 1EDN6550BXTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Single-channel isolated gate driver IC | Single-channel gate driver IC |
| Manufacturer Family | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) | — |
| Peak Output Current (source/sink) | 14 A typical | — |
| תצורת מוצא | Separate source and sink pins | — |
| Galvanic Isolation (rms) | 5.7 kV (UL 1577) | — |
| Working Voltage (continuous) | 1200 V | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 200 kV/us minimum | — |
| Propagation Delay (typ.) | 90 ns | — |
| UVLO Threshold | 10.5 V | — |
| Isolation Technology | Coreless transformer (CT) | — |
| מארז | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) | PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) |
| Creepage Distance | >8 mm | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | — |
| Target Switch Types | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Recommended Switch Class | Up to 2300 V IGBT / SiC modules | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | High-Side / Low-Side, Non-Inverting |
| מספר יציאות | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 4 A |
| Peak Sink Current | — | 8 A |
| Minimum Pulse Width | — | 29 ns |
| Input Type | — | Differential (TTL-compatible) |
| Supply Voltage Range | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| UVLO Protection | — | Yes (integrated) |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| מספר פינים | — | 6 |