1EDN7146UXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7146UXTSA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7146UXTSA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Type | Single-channel high-side TDI gate driver | — |
| Maximum Blocking Voltage | 200 V | — |
| Input Configuration | Truly differential (TDI) | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1.5 A / 2.5 A | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] | — |
| राइज़ टाइम | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] | 15 ns |
| फॉल टाइम | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] | 30 ns |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | — |
| पैकेज | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Target Transistor | GaN SG HEMT or power MOSFET | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Topology Support | Half-bridge, low-side, high-side | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| आउटपुट की संख्या | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |