1EDN7146UXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7146UXTSA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN7146UXTSA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Type | Single-channel high-side TDI gate driver | — |
| Maximum Blocking Voltage | 200 V | — |
| Input Configuration | Truly differential (TDI) | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1.5 A / 2.5 A | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] | — |
| Artış Süresi | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] | 15 ns |
| Düşüş Süresi | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] | 30 ns |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40C to +125C | — |
| Paket | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Target Transistor | GaN SG HEMT or power MOSFET | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Topology Support | Half-bridge, low-side, high-side | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |