2ED2304S06FXUMA1 vs IR2109SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2304S06FXUMA1 द्वारा Infineon और IR2109SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2304S06FXUMA1 IR2109SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-DSO-8-910 (DSO-8) SOIC-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
राइज़ टाइम — 200 ns
फॉल टाइम — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40 C to +150 C

डेटाशीट और संसाधन

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