AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BCN द्वारा Alliance Memory और AS4C512M16D4-75BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ सक्रिय
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
ब्रांड Alliance Memory Alliance Memory
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $7.90
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 512M x 16 512M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
डेटा दर 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
CAS लेटेंसी 18 ns —
पैकेज 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 95°C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
इंटरफ़ेस POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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