AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 比較

詳細並排比較 AS4C512M16D4A-62BCN 由 Alliance Memory 與 AS4C512M16D4-75BCNTR 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 啟用中
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 啟用中

規格比較

參數 AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $7.90
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
記憶體容量 8 Gbit —
組織 512M x 16 512M x 16
供應電壓 1.2 V —
資料速率 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
CAS 延遲 18 ns —
封裝 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
工作溫度 0°C to 95°C —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
介面 POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
工作溫度範圍 — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

資料表與資源

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