AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AS4C512M16D4A-62BCN tarafından Alliance Memory ve AS4C512M16D4-75BCNTR tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Marka Alliance Memory Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $7,90
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Veri Hızı 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
CAS Gecikme 18 ns —
Paket 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
İşletim Sıcaklığı 0°C to 95°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Arayüz POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin