AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BCN द्वारा Alliance Memory और H5AN8G6NDJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $55.68 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 Mbps |
| CAS लेटेंसी | 18 ns | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| इंटरफ़ेस | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |