AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BCNTR द्वारा Alliance Memory और NT5AD512M16C4-JRI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AS4C512M16D4A-62BCNTR NT5AD512M16C4-JRI
ब्रांड Alliance Memory Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $75.58
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit (512M x 16) —
सप्लाई वोल्टेज 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
CAS लेटेंसी 18 ns —
पैकेज 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C (Commercial) —
इंटरफ़ेस POD (Pseudo Open Drain) —
डेटा दर 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Memory Density — 8 Gbit
संगठन — 512M x 16
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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