AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4A-62BCNTR بواسطة Alliance Memory و NT5AD512M16C4-JRI بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ نشط
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AS4C512M16D4A-62BCNTR NT5AD512M16C4-JRI
العلامة التجارية Alliance Memory Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $75.58
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit (512M x 16) —
جهد التغذية 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
زمن الوصول CAS 18 ns —
العلبة 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (Commercial) —
الواجهة POD (Pseudo Open Drain) —
معدل البيانات 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Memory Density — 8 Gbit
التنظيم — 512M x 16
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر