AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4B-62BCNTR द्वारा Alliance Memory और AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4B-62BCNTR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.333 GHz |
| CAS लेटेंसी | 19 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel | POD |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C | -40°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Revision | Rev.B | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |