AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C512M16D4B-62BCNTR sa pamamagitan ng Alliance Memory at AS4C512M16D4-75BIN sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Nakahanda
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
Brand Alliance Memory Alliance Memory
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Uri ng Memory DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Laki ng Memory 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Rate ng Data 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
Latensya ng CAS 19 ns —
Volte ng Pagbibigay 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Interface Parallel POD
Packhaging 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
Temperature na Operasyon 0°C to 95°C -40°C to +95°C
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Organisasyon 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Tindminan RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Bilang ng Pins — 96
Mga Karakteristika — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita