AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN 比較

詳細並排比較 AS4C512M16D4B-62BCNTR 由 Alliance Memory 與 AS4C512M16D4-75BIN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 啟用中
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 啟用中

規格比較

參數 AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
記憶體容量 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
資料速率 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
CAS 延遲 19 ns —
供應電壓 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
介面 Parallel POD
封裝 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
工作溫度 0°C to 95°C -40°C to +95°C
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
組織 512M x 16 —
Revision Rev.B —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
腳位數 — 96
功能特色 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

資料表與資源

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