BSC011N03LSTATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC011N03LSTATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC011N03LSTATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8 (source-down)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Configuration Single with built-in diode —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

डेटाशीट और संसाधन

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