BSC016N06NSATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC016N06NSATMA1 द्वारा Infineon और BSC093N15NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC016N06NSATMA1 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 150V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| हैलोजन फ्री | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |