BSC016N06NSATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC093N15NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC016N06NSATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin