BSC016N06NSATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC016N06NSATMA1 מאת Infineon ו BSC093N15NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC016N06NSATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר