BSC022N04LS6ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC022N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N03L5SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC022N04LS6ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| पैकेज | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| पिन काउंट | 8 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |