BSC022N04LS6ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC022N04LS6ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |