BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC027N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC146N10LS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC146N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 5 (logic-level) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | 52 W |
| पैकेज | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +150 C (TJ max) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 14.6 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (typ. ~1.7 V) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |