BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC146N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC027N10NS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 (logic-level)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W 52 W
پیکیج PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C (TJ max)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (typ. ~1.7 V)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں