BSC035N04LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC035N04LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC059N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC035N04LSGATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC035N04LSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +150°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |