BSC0501NSIATMA1 vs BSO220N03MDGXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0501NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSO220N03MDGXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0501NSIATMA1 BSO220N03MDGXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes Yes
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET)
Series — OptiMOS™ 3M
Configuration — Dual N-Channel (2N-CH), independent
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) — 7.7 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 22 mΩ max @ V_GS=10V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G nC]
Power Dissipation (P_D) — 1.4 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)

डेटाशीट और संसाधन

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