BSC0501NSIATMA1 vs BSO220N03MDGXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSO220N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0501NSIATMA1 BSO220N03MDGXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes Yes
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET)
Series — OptiMOS™ 3M
Configuration — Dual N-Channel (2N-CH), independent
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) — 7.7 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 22 mΩ max @ V_GS=10V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G nC]
Power Dissipation (P_D) — 1.4 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں