BSC076N04NDATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon और IAUC50N08S5N102ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC076N04NDATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | — |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |