BSC0993NDATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0993NDATMA1 द्वारा Infineon और BSC155N06NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC0993NDATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | Dual N-channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| पैकेज | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |