BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC190N15NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC070N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC190N15NS3GATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 19 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |