BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC070N10NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC190N15NS3GATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 19 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| محدوده دمای اتصال کاری | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |