BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC190N15NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC070N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC190N15NS3GATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 19 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |