BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC265N10LSFGATMA1 द्वारा Infineon और BSC360N15NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC265N10LSFGATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| Technology | OptiMOS 2 (TrenchFET) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C (junction) |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | OptiMOS 2 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |