BSL207SPH6327XTSA1 vs IRF7205TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL207SPH6327XTSA1 द्वारा Infineon और IRF7205TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSL207SPH6327XTSA1 | IRF7205TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | P-Channel MOSFET |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | IR HEXFET (4th generation) |
| Drain to Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 6 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W (Ta) | — |
| RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] | — |
| RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| पैकेज | TSOP-6 (PG-TSOP6-6) | SO-8 (8-SO) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C | — |
| Series | OptiMOS™ | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| पिन काउंट | 6 | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | -4.6 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 70 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | — | 130 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |