BSL207SPH6327XTSA1 vs IRF7205TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL207SPH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور IRF7205TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL207SPH6327XTSA1 IRF7205TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel P-Channel MOSFET
Technology MOSFET (Metal Oxide) IR HEXFET (4th generation)
Drain to Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 6 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 2 W (Ta) —
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V] —
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 2.5 V, 4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
پیکیج TSOP-6 (PG-TSOP6-6) SO-8 (8-SO)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C —
Series OptiMOS™ —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
پن کی تعداد 6 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں