BSL308CH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308CH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP129H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP129H6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSL308CH6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
पैकेज PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
ऑपरेटिंग तापमान — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

डेटाशीट और संसाधन

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