BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS127H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSP129H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSP129H6327XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP129H6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS127H6327XTSA2 | BSP129H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 350 mA |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.8 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage VGS(off) | — | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] |
| dv/dt Ruggedness | — | Yes (rated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | SIPMOS (vertical DMOS) |
| Drain Terminal | — | Tab (pin 4) |