BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSP129H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS127H6327XTSA2 BSP129H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin