BSS214NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS214NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS214NH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.5 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 250 mOhm at VGS = 4.5 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±12 V (recommended) | — |
| Technology | OptiMOS 2 (planar N-channel) | — |
| पैकेज | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 Automotive |
| Lead Finish | Pb-free lead plating (matte tin) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ESD Protection | Yes (gate ESD diode) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| पैकेज / केस | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |