BSS214NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS214NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS214NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) —
پیکیج SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 Automotive
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
پیکیج / کیس — PG-SOT23 (SOT-23-3)
پنز کی تعداد — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں