BSS214NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS214NH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS308PEH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSS214NH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.5 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 250 mOhm at VGS = 4.5 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±12 V (recommended) | — |
| Technology | OptiMOS 2 (planar N-channel) | — |
| מארז | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 Automotive |
| Lead Finish | Pb-free lead plating (matte tin) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ESD Protection | Yes (gate ESD diode) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| סוג טרנזיסטור | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| מארז / Case | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| מספר פינים | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |