BSS214NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS308PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS214NH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.5 A (Ta) | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 250 mOhm at VGS = 4.5 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±12 V (recommended) | — |
| Technology | OptiMOS 2 (planar N-channel) | — |
| Paket | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 Automotive |
| Lead Finish | Pb-free lead plating (matte tin) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ESD Protection | Yes (gate ESD diode) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| Transistor Türü | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Paket / Kas | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |