BSS214NWH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS214NWH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS606NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS214NWH6327XTSA1 | BSS606NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| पैकेज | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SOT-89 (TO-243AA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive (per family page) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | OptiMOS Small Signal/Power |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mΩ max @ VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +150°C |
| MSL स्तर | — | 1 (per SOT-89 family standard) |
| Reel Quantity | — | 1000 pcs |