BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS816NWH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS123NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS816NWH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | 160 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| पैकेज | SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (automotive) |
| Technology | OptiMOS 2 trench MOSFET | — |
| ESD Protection | Yes (integrated, per Infineon datasheet) | — |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |