BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS816NWH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS123NH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS816NWH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) | — |
| نوع ترانزیستور | MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | 160 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| بسته‌بندی | SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (automotive) |
| Technology | OptiMOS 2 trench MOSFET | — |
| ESD Protection | Yes (integrated, per Infineon datasheet) | — |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | — |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |