BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ017NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N04LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |