BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ017NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |