BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ017NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +150°C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |